檢測認證人脈交流通訊錄
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IGBT開關參數測系統
ST-AC1200_X
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 用于測試器件級的?Diode,IGBT,MOSFET動態交流參數
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?1200V/100A，短路電流2500A
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 替代ITC57300，多項功能及指標優于ITC57300
? IGBT開關參數測系統技術規格基礎能力 -
*大輸出能力：電壓1200V電流200A
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*小時間測量值：0.1ns
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Windows系統的控制計算機水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字
物理規格 -
單機尺寸：800×800×1800mm水印簽字*西安天光測控*水印簽
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質 量：165kg水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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系統功耗：200w
ST-AC1200_S_R
開關時間（阻性）測試單元?
美軍標750
方法為3472-
脈寬：0.1us~100us步進0.1μs
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柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V
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柵極電流*大10A水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）
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占空比小于0.1%水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V
ST-AC1200_D
反向恢復特性測試單元?
美軍標750
方法3473-
IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率
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di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns Steps
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VR/反向電壓：20~1200V
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IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。
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占空比：＜1.0%水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us
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VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
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Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q
柵電荷測試單元????
美軍標750，
方法3471-
柵極電流：0~10mA@10uA分辨率
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柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率
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漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率
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分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps
ST-AC1200_S_L
開關時間（感性）測試單元
美軍標750，
方法3477-
漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率
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分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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電感：0.1mH至159.9mH
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柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
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漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps
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，1.0V Steps
ST-AC1200_S
短路特性測試單元
美軍標750，
方法3479-
*大電流：標配200A（選配1000A）
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脈寬：1us~100us
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柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率
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漏極電壓5V~100V，0.1V Steps
ST-AC1200_RC
柵電阻結電容測試單元?
JEDEC Std
JESD24-11-
Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字*西安天光測控*水印簽字
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結電容參數：Ciss，Coss，Crss
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漏極偏置電壓：1200V*大
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柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率
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頻率：標配0.1MHZ~1MHZ
電網環境 -
AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字*西安天光測控*水印簽字
MOSFET動態參數測試儀主要用于測試二極管、IGBT、MOS動態特性參數，產品功能指標對標ITC57300,對標資料如下。?資料說明：
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對比內容：半導體分立器件動態參數測試系統
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對比廠商：美國ITC公司（下文簡稱ITC）、西安天光測控技術有限公司（下文簡稱西安天光）
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對比型號：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X
? ?MOSFET動態參數測試儀?以ITC57300作為參考標準，西安天光的產品資料中“藍色字體”為西安天光的減分項（指標低于ITC57300），“紅色字體”為西安天光的加分項（指標高于ITC57300），“黑色字體”表示雙方指標一致。
?美國ITC公司
ITC57300西安天光測控技術有限公司
ST-AC1200_X基礎能力*大輸出能力：電壓1200V電流200A*小時間測量值：1.0nsWindows系統的控制計算機LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字物理規格高=76英寸寬=44英寸(包括顯示器和鍵盤)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210開關時間（阻性）測試單元美軍標750方法為3472脈寬：0.1μs~10μs 步進0.1μs柵極電壓±20V分辨率0.1V柵極電流*大1.0A漏極電流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V? ? ? ? ? 100 V~1200V分辨率1.0V水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57220反向恢復特性測試單元美軍標750方法3473IF/正向電流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns StepsVR/反向電壓：20~1200VIRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。占空比：＜1.0%TRR/反向恢復時間范圍：10ns~2.0usVDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢復電荷：1nc~100uC水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57230柵電荷測試單元美軍標750方法3471柵極電流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率柵電壓范圍：±20V@±0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57240開關時間（感性）測試單元美軍標750方法3477漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH柵極電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57250短路特性測試單元美軍標750方法3479*大電流：1000A脈寬：1us~100us柵驅電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ITC57260柵電阻結電容測試單元JEDEC StdJESD24-11Rg/柵電阻：0.1~50mΩ結電容參數：Ciss，Coss，Crss漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：±20V頻率：0.1MHZ~4MHZ電網環境220V 50~60 Hz單相 ?可選擇240V220V/12A? 20A? 30A水印簽字*西安天光測控*水印簽字 基礎能力*大輸出能力：電壓1200V電流200A*小時間測量值：0.1nsWindows系統的控制計算機LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字物理規格單機尺寸：800×800×1800mm質 量：165kg系統功耗：200wST-AC1200_S_R開關時間（阻性）測試單元????????美軍標750方法為3472脈寬：0.1us~100us步進0.1μs柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V柵極電流*大10A漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）占空比小于0.1%VDD/漏極電壓 ?5V~100 V分辨率0.1V? ? ? ? ? ? ? ?100 V~1200V分辨率1.0V水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_D反向恢復特性測試單元???????美軍標750方法3473IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS? 1.0A/ns StepsVR/反向電壓：20~1200VIRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。占空比：＜1.0%TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2usVDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_Q柵電荷測試單元???美軍標750，方法3471柵極電流：0~10mA@10uA分辨率柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L開關時間（感性）測試單元美軍標750，方法3477漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH? ?柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_S短路特性測試單元美軍標750，方法3479*大電流：標配200A（選配1000A）脈寬：1us~100us柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印簽字*西安天光測控*水印簽字ST-AC1200_RC柵電阻結電容測試單元???????JEDEC StdJESD24-11Rg/柵電阻：0.1~100Ω結電容參數：Ciss，Coss，Crss漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率頻率：標配0.1MHZ~1MHZ（￥3W）0.1MHZ~4MHZ（￥15W）?水印簽字*西安天光測控*水印簽字電網環境AC220V±10%，50Hz±1Hz。 ?
其它測試功能（加分項）-
雪崩特性測試單元
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EAS
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IAS
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PAS
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di/dt測試單元
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dv/dt測試單元
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靜態參數測試單元（可測試IGBT、MOSFET、二極管的靜態直流參數）
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安全工作區/RBSOA
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熱阻（包括穩態熱阻和瞬態熱阻）
產品系列
晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態參數（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
動態參數（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
環境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
熱特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可測試 Si / SiC / GaN 材料的 ?IGBTs ?/ ?MOSFETs ?/ ?DIODEs ?/ ?BJTs ?/ ?SCRs等功率器件?
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