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        洛陽正舉新材料科技有限公司

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        硬X射線光電子能譜儀HAXPES

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          • ?PHIGENESIS Model 900 for HAXPES 硬X射線光電子能譜(HAXPES)是一種先進(jìn)的表面分析技術(shù),主要用于研 究固體樣品的表面電子結(jié)構(gòu)和化學(xué)態(tài)。 HAXPES利用高能X射線(例如Cr Kα射線 ,能量為5414.7 eV)激發(fā)樣品表面的電子。通過測量這些電子的能量分布,能 夠獲得關(guān)于樣品表面的化學(xué)成分和電子結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息。與傳統(tǒng)的XPS(軟X射線 光電子能譜)相比,HAXPES具有更深的探測深度,通??蛇_(dá)約30 nm,適用于 多層薄膜、半導(dǎo)體光電器件等樣品的無損深度分析。 無需濺射刻蝕的深度探索 下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs),結(jié)合使用 XPS(Al Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對同一微觀特征區(qū)域進(jìn)行分析,可以對 QDs 進(jìn)行詳細(xì)的深度結(jié)構(gòu)分析。 XPS 和HAXPES 的結(jié)合使用,可以對納米顆粒進(jìn)行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析,從而避免離子束濺射引起的損傷。 ? 深層界面的分析 在兩種x射線源中,只有 Cr Ka XPs 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學(xué)態(tài)。另外,通過比較,光電子起飛角90°和30°的 Cr Ka 譜圖結(jié)果發(fā)現(xiàn)在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時(shí),氧化物的強(qiáng)度較高,表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。? https://www.chem17.com/st367760/product_38464684.html https://www.shuyunsh.com/product-item-90.html https://www.shuyunsh.com/product-item-113.html ?

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