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NIR-01-3D紅外探傷測(cè)試儀

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出廠價(jià)：
1 元/套

主要規(guī)格：
套

用　　途：
硅材料缺陷檢測(cè)

NIR-01-3D型紅外探傷測(cè)試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料，其表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)，系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)，所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求，做到絕對(duì)的穩(wěn)定性和耐用性。技術(shù)特點(diǎn)： ■自動(dòng)化程度更高，測(cè)試效果更好 ■采用銦鎵砷傳感器，而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計(jì)算機(jī)參數(shù)控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時(shí)間），其靈敏度好，探傷結(jié)果與實(shí)際情況一致性佳。不需為不同尺寸的硅塊設(shè)置不同的硬件參數(shù)（探傷位置，聚焦點(diǎn)，校準(zhǔn)） ■我們的軟件系統(tǒng)為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設(shè)置菜單，沒有必要在硬件上進(jìn)行設(shè)置（當(dāng)然我們也可以從硬件上進(jìn)行設(shè)置）。 ■光源探照有效同質(zhì)區(qū)域?yàn)?00×330mm/550mm，我們采用了特殊擴(kuò)散板材料，保證了在沒有圖像處理的情況也能確保成像質(zhì)量。 ■測(cè)試范圍更廣 ■不僅可以探測(cè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊，而且可以探測(cè)任何尺寸的硅塊，沒有光源照射區(qū)域限制。 ■也可直接對(duì)未拋光的硅塊進(jìn)行直接探測(cè)。 ■壽命更長(zhǎng) ■紅外照相機(jī)３年免費(fèi)保修或更換的承諾 ■我們采用的是獨(dú)特的含有冷卻單元的工業(yè)級(jí)鍍金近紅外鹵管，保證了光源的持久耐用性，設(shè)備已經(jīng)不采用普通鹵管設(shè)計(jì)，我們提供了強(qiáng)致冷卻單元，為設(shè)備的正常使用提供了足夠的冷卻單元，大大延長(zhǎng)了儀器的使用壽命。 ■所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求 ■即使在高照明的條件下，我們的相機(jī)傳感器也幾乎沒有退化的情況。 ■有多年在歐洲生產(chǎn)銷售應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的工業(yè)應(yīng)用性。 ■檢測(cè)更快 ■檢測(cè)速度快，自動(dòng)四面檢測(cè)< 1分鐘,快速兩面檢測(cè)<20秒，一面<5秒 ■系統(tǒng)功能強(qiáng)大 ■可定制硅塊縫合復(fù)原功能 ■可定制硅塊尺寸測(cè)試模塊 ■可根據(jù)客戶需求進(jìn)行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長(zhǎng)情況進(jìn)行工藝分析 ■ 可定制在線生產(chǎn)模式 ■ 可定制砷化鎵磷化銦等其他半導(dǎo)體材料的探傷檢測(cè) ■ 可定制中文操作系統(tǒng)界面技術(shù)指標(biāo)： ■ 主要探測(cè)指標(biāo)：裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶 ■ 硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦） ■ 檢測(cè)時(shí)間：平均每個(gè)硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒 ■ 硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm ■ 分辨率：320px*256px（最早生產(chǎn)的產(chǎn)品） 640 px *512px（目前市場(chǎng)供應(yīng)） 1280 px*1024px（2010年12月份批量生產(chǎn)） 2560 px*2048px（行業(yè)最高，2011年1-3月份批量生產(chǎn)） ■ 旋轉(zhuǎn)臺(tái) ■ 采用單軸伺服電機(jī) ■ 最大承載量:40kg ■ 具有過流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀 ■ 無步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器 ■ 紅外光源 ■ 高強(qiáng)度NIR鹵燈，273mm加熱波長(zhǎng) ■ 功率：230V,1000W ■ 溫度：25-60攝氏度 ■ 光強(qiáng)可通過軟件控制 ■ 軟件具有過熱保護(hù) ■ 觀測(cè)儀 ■ 采用紅外CCD控溫 ■ 12位ADC ■ 頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇 ■ 像素間距: 30μm ■ 可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭 ■ 測(cè)試樣品 ■ 測(cè)試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm ■ 一套硬件裝備可以檢測(cè)所有尺寸的硅塊 ■ 適用于不同的表面質(zhì)量和厚度的硅塊 ■ 適用于拋光面和裸面，拋光面探測(cè)效果更佳 ■ 電阻率：≥0.5Ohm*Cm（推薦） ■ 應(yīng)用 ■ 裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶 ■ 軟件（基于WIN XP） ■ 可從四個(gè)方向進(jìn)行自動(dòng)取樣 ■ 可快速進(jìn)行樣塊的快速測(cè)量 ■ 軟件會(huì)對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行評(píng)價(jià) ■ 可對(duì)檢測(cè)參數(shù)進(jìn)行靈活設(shè)置 ■ 可進(jìn)行像素管理和圖像處理 ■ 系統(tǒng)將對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行三維立體描繪詳情歡迎來電咨詢：北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)光華路16號(hào) 電話：010-60546837 -104 傳真：01060546837-608 聯(lián)系人：肖經(jīng)理18610357221 QQ：454972757 E-mail：xiaozongyong@henergysolar.com 董工：13581954918 E-mail：dongpeiming@henergysolar.com 公司網(wǎng)站：http://www.HenergySolar.com

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